RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3448
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link