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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
50
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2386
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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