RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3220
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link