RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2725
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link