RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
32
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3277
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link