RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2792
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link