RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2583
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link