RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2823
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link