RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3573
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link