RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
4033
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link