RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
30
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3580
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link