RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3037
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link