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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
101
Rund um 77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
1382
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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