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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
23
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2709
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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