RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
95
Rund um 76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
95
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
1725
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link