RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3033
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link