RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2681
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link