RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3091
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link