RAM-Vergleich Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.6 11.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

32 37

Rund um -16% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2409 2395

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns