RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3462
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link