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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2945
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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