RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.4
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
19.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
4129
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link