RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
35
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
17.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
4014
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link