RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3631
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link