RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3432
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link