RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2311
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link