RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2744
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link