RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3052
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link