RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
40
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3028
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link