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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
44
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1770
2170
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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