RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
39
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1770
3573
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link