RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3195
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link