RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
39
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2236
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link