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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
39
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3313
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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