RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3510
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link