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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3845
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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