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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
39
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3140
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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