RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3080
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link