RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
39
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3359
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link