RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
39
Rund um -129% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.1
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
22.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
18.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3847
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link