RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3431
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link