RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
66
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
1877
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link