RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2493
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link