RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
39
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3458
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link