RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2527
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link