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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
54
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2259
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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