RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
39
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3626
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link