Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Unterschiede

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    39 left arrow 56
    Rund um 30% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.1 left arrow 11.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    39 left arrow 56
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.7 left arrow 20.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 10.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1749 left arrow 2455
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche