RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3223
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link