RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
52
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
11.8
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
3124
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link